-
1 carrier storage time
время накопления носителей (заряда)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > carrier storage time
-
2 tiempo de acumulación de los portadores
Diccionario Politécnica español-ruso > tiempo de acumulación de los portadores
-
3 carrier storage time
2) Электротехника: время накопления носителей (заряда) -
4 tiempo de acumulación de los portadores
сущ.Испанско-русский универсальный словарь > tiempo de acumulación de los portadores
-
5 temps d'accumulation des porteurs
сущ.Французско-русский универсальный словарь > temps d'accumulation des porteurs
-
6 Ladungsträgerspeicherzeit
сущ.микроэл. время накопления носителей зарядаУниверсальный немецко-русский словарь > Ladungsträgerspeicherzeit
-
7 room-temperature lifetime
The English-Russian dictionary general scientific > room-temperature lifetime
-
8 Speicherzeit
сущ.1) комп. цикл обращения к памяти, время сохранения (в памяти; данных), период сохранения (в памяти; данных)2) воен. время накопления (информации), время хранения (информации)3) тех. время запоминания4) радио. время хранения информации5) электр. время аккумулирования, время накопления (заряда), время накопления, время хранения накопленных зарядов, время хранения (напр. информации)6) выч. период хранения (в памяти; данных)7) микроэл. время рассасывания, время рассасывания носителей заряда, время собирания, время запаздывания обратного напряжения (диода, тиристора)8) ркт. допустимое время нахождения ступени (с низкокипящими компонентами) в заправленном состоянии (на Земле или на орбите ожидания)9) автом. время хранения накопленных сигналов -
9 lifetime
1. n продолжительность жизни; целая жизньthe chance of a lifetime — возможность, представляющаяся раз в жизни
2. n физ. время жизни3. n тех. срок эксплуатацииСинонимический ряд:1. life (noun) duration; existence; life; term2. period (noun) age; generation; life span; period; stage of life -
10 carrier-storage delay
1) Вычислительная техника: задержка за счёт накопления носителей (заряда)2) Микроэлектроника: время задержки, обусловленное накоплением носителей -
11 natural lifetime
The English-Russian dictionary general scientific > natural lifetime
-
12 carrier-storage delay
-
13 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
14 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
15 région passive de base
пассивная часть базовой области
Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > région passive de base
-
16 passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors
пассивная часть базовой области
Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors
-
17 passive part of base region
пассивная часть базовой области
Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > passive part of base region
См. также в других словарях:
время накопления носителей (заряда) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN carrier storage time … Справочник технического переводчика
Время восстановления — обратного сопротивления базы диода это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое. Процесс обратного восстановления (ОВ) в большей степени характерен диодам на p n переходе, в отличие от… … Википедия
ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… … Физическая энциклопедия
ПИ-МЕЗОНЫ — (p мезоны, пионы), группа из трёх нестабильных бесспиновых элем. ч ц двух заряженных (p+ и p ) и одной нейтральной (p°), относящихся к классу адронов и являющихся среди них наиболее лёгкими. Масса пионов промежуточная между массами протона и эл… … Физическая энциклопедия
ПЗС-ДЕТЕКТОР — координатный детекторчастиц, основой к рого является прибор с зарядовой связью (ПЗС,[1]). Создание детекторов частиц с высоким координатным разрешением однаиз важнейших задач ядерной физики и физики элементарных частиц (см. Координатныедетекторы) … Физическая энциклопедия
скорость — 05.01.18 скорость (обработки) [rate]: Число радиочастотных меток, обрабатываемых за единицу времени, включая модулированный и постоянный сигнал. Примечание Предполагается возможность обработки как движущегося, так и неподвижного множества… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… … Википедия
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — (простые полупроводники), химические элементы, простые вещества которых проявляют полупроводниковые свойства (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д.… … Энциклопедический словарь
Голландская культура XVII в. — Политические идеи Победа буржуазной революции и развитие капитализма на раннем его этапе такова была база для расцвета голландской культуры в XVII столетии. Небольшая страна, насчитывавшая около 2 млн. жителей, не только достигла большого… … Всемирная история. Энциклопедия
НАУКА — особый вид познавательной деятельности, направленный на выработку объективных, системно организованных и обоснованных знаний о мире. Взаимодействует с др. видами познавательной деятельности: обыденным, художественным, религиозным, мифологическим … Философская энциклопедия
Медицина — I Медицина Медицина система научных знаний и практической деятельности, целями которой являются укрепление и сохранение здоровья, продление жизни людей, предупреждение и лечение болезней человека. Для выполнения этих задач М. изучает строение и… … Медицинская энциклопедия
